A SRC, Semiconductor Research Corporation, em parceria com pesquisadores da Universidade Yale (EUA), anunciaram nesta terça que encontraram um modo de aumentar significantemente o desempenho de chips DRAM. As melhorias são resultados do uso de camadas ferroelétricas que não requerem o uso de um condensador (capacitor) de armazenamento, encontrado em células DRAM convencionais. Chamada de Ferroelectric DRAM (FeDRAM), as células possuem uma estrutura que lembram um transístor CMOS.
Dentre as vantagens específicas estão a maior estabilidade, menor tamanho da célula, um mínimo de 1000 vezes maior tempo de retenção, e menor consumo de energia. Também há a possibilidade de armazenar vários bits por célula, como em chips de memória flash, e a fabricação destes novos chips, visto ser mais simples, será mais barata.
Os pesquisadores estão focados neste momento em criar um protótipo funcional de células FeDRAM, e com o apoio de outras empresas que pertencem à membresia da SRC, a produção dos chips deve chegar ao mercado em um futuro não tão distante, embora não tenha sido disponibilizado nenhum tipo de cronograma.
Dentre as vantagens específicas estão a maior estabilidade, menor tamanho da célula, um mínimo de 1000 vezes maior tempo de retenção, e menor consumo de energia. Também há a possibilidade de armazenar vários bits por célula, como em chips de memória flash, e a fabricação destes novos chips, visto ser mais simples, será mais barata.
Os pesquisadores estão focados neste momento em criar um protótipo funcional de células FeDRAM, e com o apoio de outras empresas que pertencem à membresia da SRC, a produção dos chips deve chegar ao mercado em um futuro não tão distante, embora não tenha sido disponibilizado nenhum tipo de cronograma.
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